TRANSISTOR GT 50N322

TRANSISTOR GT 50N322

Canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta isolada TOSHIBA

Aplicação de comutação do inversor de ressonância de tensão IGBT de quinta geração

FRD incluído entre o emissor e o coletor
Tipo de modo de aprimoramento
IGBT de alta velocidade: tf = 0,10 µs (típ.) (IC = 60 A) FRD: trr = 0,8 µs (típ.) (di/dt = -20 A/ µs)
Baixa tensão de saturação: VCE (sat) = 2,2 V (tip.) (IC = 60 A)
Classificações Máximas Absolutas (Ta = 25°C)
Características Tensão coletor-emissor
Tensão portão-emissor
Corrente do coletor DC 1ms DC 1ms
Símbolo VCES VGES IC ICP IF IFP PC Tj Tstg
Classificação 1000 ± 25 50 120 15 120 156 150 -55 a 150
Unidade VVA
JEDEC
Corrente direta do diodo
Dissipação de energia do coletor (Tc = 25°C)
Temperatura da junção
Temperatura de armazenamento


Nota:
O uso contínuo sob cargas pesadas (por exemplo, a aplicação de alta temperatura/corrente/tensão e a mudança significativa de temperatura, etc.) pode fazer com que a confiabilidade deste produto diminua significativamente, mesmo se as condições de operação (ou seja, temperatura/corrente de operação/ tensão, etc.) estão dentro das classificações máximas absolutas. Projete a confiabilidade apropriada revisando o Manual de Confiabilidade de Semicondutores da Toshiba ("Precauções de Manuseio"/"Conceito e Métodos de Derating") e dados de confiabilidade individuais (ou seja, relatório de teste de confiabilidade e taxa de falha estimada, etc.).
Circuito equivalente


OBSERVAÇÕES IMPORTANTES:

* Devido aos recursos fotográficos, pode haver variação de tonalidade conforme a resolução de tela utilizada.

* As fotos e informações sobre descrições técnicas e conteúdo da embalagem são fornecidas pelo fabricante e estão sujeitas à alteração sem aviso prévio.

*Consulte a disponibilidade com nossos vendedores, somos uma loja física e alguns produtos podem esgotar ou serem peças de mostruário.