Transistor IGBT - Santana - GT 50N322 - Alta Velocidade E Baixa Saturação
TRANSISTOR GT 50N322 - IGBT de Alta Velocidade TOSHIBA
Descubra o TRANSISTOR GT 50N322 da SANTANA, um IGBT de quinta geração da TOSHIBA que oferece alta velocidade de comutação e baixa tensão de saturação, ideal para as aplicações mais exigentes em eletrônica de potência.
O TRANSISTOR GT 50N322 é um componente eletrônico robusto, apresentando um canal bipolar IGBT de silício N com porta isolada, desenvolvido pela renomada TOSHIBA. Perfeito para aplicações de comutação em inversores de ressonância de tensão, este IGBT de quinta geração incorpora um FRD (Diodo de Recuperação Rápida) entre o emissor e o coletor, garantindo desempenho superior. Com seu tipo de modo de aprimoramento, ele se destaca pela alta velocidade de comutação (tf = 0,10 µs, típico para IC = 60 A) e pelo FRD com um tempo de recuperação reverso (trr = 0,8 µs, típico para di/dt = -20 A/µs), além de uma notável baixa tensão de saturação (VCE(sat) = 2,2 V, típico para IC = 60 A). Este componente é a escolha ideal para engenheiros e técnicos que buscam confiabilidade e eficiência em circuitos de potência.
Diferenciais:
Tecnologia IGBT de Quinta Geração: Oferece desempenho aprimorado e maior eficiência em comparação com gerações anteriores.
Alta Velocidade de Comutação: Com tf = 0,10 µs (típico), garante respostas rápidas e eficazes em aplicações dinâmicas.
Baixa Tensão de Saturação: VCE(sat) = 2,2 V (típico) minimiza perdas de energia e melhora a eficiência térmica.
FRD Integrado: Diodo de Recuperação Rápida incluso entre emissor e coletor para proteção e otimização do circuito.
Mais sobre o Produto:
Projetado para comutação de alta frequência, o TRANSISTOR GT 50N322 otimiza o funcionamento de inversores e conversores de potência.
Sua construção em silício N oferece estabilidade e durabilidade, mesmo sob condições operacionais rigorosas.
As classificações máximas absolutas garantem que o componente possa suportar picos de tensão e corrente, aumentando a segurança e a longevidade do sistema.
Dicas de Uso:
Ao integrar o TRANSISTOR GT 50N322 em seus projetos, é crucial considerar o Manual de Confiabilidade de Semicondutores da Toshiba, especialmente as seções de "Precauções de Manuseio" e "Conceito e Métodos de Derating".
Evite o uso contínuo sob cargas excessivas, como alta temperatura, corrente ou tensão, ou mudanças significativas de temperatura, para preservar a confiabilidade do produto.
Sempre consulte os dados de confiabilidade individuais, como relatórios de teste e taxa de falha estimada, para projetar a confiabilidade apropriada para sua aplicação específica.
Ficha Técnica:
Marca: SANTANA
Modelo: GT 50N322
Categoria: ELETRÔNICA
Tipo: Transistor IGBT de Canal N Bipolar
Tecnologia: IGBT de quinta geração com FRD incluso
Velocidade de Comutação (tf): 0,10 µs (típico, IC = 60 A)
Tempo de Recuperação Reversa do Diodo (trr): 0,8 µs (típico, di/dt = -20 A/µs)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCE(sat)): 2,2 V (típico, IC = 60 A)
Tensão Coletor-Emissor Máxima (VCES): 1000 V
Tensão Porta-Emissor Máxima (VGES): ± 25 V
Corrente do Coletor DC (IC): 50 A
Corrente de Pico do Coletor (ICP): 120 A
Corrente Direta do Diodo (IF): 15 A
Corrente de Pico Direta do Diodo (IFP): 120 A
Dissipação de Potência do Coletor (PC): 156 W (Tc = 25°C)
Temperatura de Junção (Tj): 150 °C
Temperatura de Armazenamento (Tstg): -55 a 150 °C
Código de Referência: 161648
