Transistor IR IRFS630 MOSFET N Canal Alta Eficiência
TRANSISTOR IRFS 630 - IR
Garanta a eficiência e confiabilidade em seus projetos eletrônicos com este poderoso componente.
O TRANSISTOR IRFS 630 da renomada marca IR (International Rectifier) é um componente eletrônico essencial para diversas aplicações em eletrônica de potência. Este MOSFET de potência de canal N é projetado para oferecer excelente desempenho em chaveamento rápido e amplificação, tornando-o ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e sistemas de iluminação de alta eficiência. Sua construção robusta garante durabilidade e estabilidade em ambientes exigentes, sendo a escolha perfeita para engenheiros eletrônicos e desenvolvedores que buscam performance e qualidade.
Diferenciais:
Alta eficiência e baixa resistência de condução (RDS(on)), minimizando perdas e otimizando o consumo de energia.
Comutação rápida, permitindo operar em frequências elevadas e melhorando o desempenho de circuitos chaveados.
Robustez e confiabilidade comprovadas pela marca IR, assegurando uma longa vida útil e operação estável.
Mais sobre o Produto:
O IRFS 630 contribui para a otimização de circuitos, proporcionando uma redução significativa de perdas e uma melhora geral no desempenho do sistema.
Sua versatilidade o torna adequado para uma ampla gama de aplicações industriais e comerciais, desde sistemas de energia renovável até equipamentos automotivos.
Um componente crucial para quem busca controle preciso de potência e eficiência energética.
Dicas de Uso:
Para garantir o melhor desempenho e vida útil, assegure uma adequada dissipação de calor, utilizando dissipadores quando necessário.
Sempre observe as precauções contra descarga eletrostática (ESD) durante o manuseio e instalação para evitar danos ao componente.
Realize o dimensionamento correto dos circuitos de gate e dreno-fonte para otimizar a operação e evitar sobrecarga.
Ficha Técnica:
Marca: IR
Produto: TRANSISTOR IRFS 630
Categoria: ELETRÔNICA
Código de Referência: 025395
NCM: 85412920
Tipo de Transistor: MOSFET de Potência Canal N
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 200V
Corrente Contínua de Dreno (Id @ 25°C): 9.7A
Resistência Dreno-Fonte (RDS(on) @ 10V, 4.9A): 0.40 Ohm (Máx.)
Encapsulamento: D2PAK (TO-263)
Temperatura Máxima de Operação: 175°C
