Transistor - Alta Tensão - Santana - MJE 13009 GD NPN TO-220-3 - Comutação Rápida
TRANSISTOR MJE 13009 GD NPN TO-220-3
O TRANSISTOR MJE 13009 GD da SANTANA é a solução ideal para circuitos de alta tensão e comutação de alta velocidade, garantindo performance superior em aplicações SWITCHMODE.
Descrição detalhada:
O TRANSISTOR MJE 13009 GD, da renomada marca SANTANA, é um componente eletrônico robusto e de alta performance, projetado especificamente para atuar em circuitos de alimentação de alta tensão e comutação de alta velocidade. Sua construção em Silício (Si) e configuração NPN, encapsulado em TO-220-3 para montagem através do orifício, garante a eficiência necessária para aplicações indutivas onde o tempo de queda é um fator crítico. Este transistor BJT é ideal para sistemas SWITCHMODE de 115V e 220V, como reguladores de comutação, inversores, controles de motor, drivers de solenoides/relés e circuitos de deflexão, oferecendo versatilidade e confiabilidade para engenheiros e hobbystas na área de eletrônica.
Diferenciais:
Performance superior em circuitos de alta tensão e comutação rápida, otimizando o tempo de resposta em aplicações críticas.
Ampla gama de compatibilidade, podendo substituir modelos como FJP13009, MJE13009G, MJE13008, KSE13009, KSE13008, 2SC3306 e 2SC3257.
Ideal para diversas aplicações industriais e comerciais, incluindo reguladores de comutação, inversores e controles de motor em sistemas de 115V e 220V.
Construção em Silício (Si) com polaridade NPN e encapsulamento TO-220-3, garantindo durabilidade e facilidade de montagem.
Mais sobre o Produto:
Este transistor bipolar (BJT) oferece uma robusta SOA de polarização reversa com cargas indutivas a TC = 100°C, assegurando operação segura e estável.
Possui uma impressionante capacidade de bloqueio de 700 V, essencial para a segurança e a integridade de circuitos de alta potência.
A matriz de comutação indutiva de 3 a 12 Amp, com um tempo de queda típico de 120 ns a 8 A e 100°C, demonstra sua excepcional velocidade e eficiência.
Dicas de Uso:
Para garantir o melhor desempenho, é fundamental seguir as especificações técnicas ao integrar o MJE 13009 GD em seus circuitos de comutação e aplicações indutivas.
Recomenda-se a utilização de dissipadores de calor adequados, considerando a dissipação de potência de 12 W, para manter a temperatura de operação dentro dos limites seguros (-65°C a +150°C).
Sempre consulte o datasheet completo do fabricante para informações detalhadas sobre pinagem, curvas de desempenho e diretrizes de aplicação específicas para este transistor NPN.
Ficha Técnica:
Marca: Santana
Código de Referência: 039621
Categoria: Eletrônica, Transistor Bipolar (BJT)
Polaridade: NPN
Configuração: Solteiro
Tecnologia: Silício (Si)
Estilo de Montagem: Através do orifício
Tipo de Embalagem (Componente): TO-220-3
Tipo de Embalagem (Comercial): Vareta
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx.: 400 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 700 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 9 V
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1 V
Corrente Máxima do Coletor DC: 12 A
Dissipação de Potência (Pd): 12 W
Produto de Ganho de Largura de Banda (fT): 4 MHz
Ganho Base Coletor DC (Hfe Min): 8
Temperatura Mínima de Operação: -65°C
Temperatura Máxima de Operação: +150°C
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Largura: 4,82 mm
Peso Líquido do Produto: 1.5 g
Quantidade por Embalagem: 1 unidade
