TRANSISTOR MJE 13009
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TRANSISTOR MJE 13009
O MJE13009 foi projetado para alimentação de alta tensão e alta velocidade comutação de circuitos indutivos onde o tempo de queda é crítico.
Eles são particularmente adequado para aplicações SWITCHMODE de 115 e 220 V como reguladores de comutação, inversores, controles de motor, Drivers solenóides/relés e circuitos de deflexão.
O transistor MJE13009 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
FJP13009, MJE13009G, MJE13008, KSE13009, KSE13008, 2SC3306, 2SC3257.
ESPECIFICAÇÕES:
VCEO(sus) 400 V e 300 V
SOA de polarização reversa com cargas indutivas @ TC = 100C
Matriz de comutação indutiva 3 a 12 Amp, 25 e 100C tc @ 8 A,100C é 120 ns (típico)
Capacidade de bloqueio de 700 V
Informações sobre SOA e aplicativos de comutação.
Categoria de Produto: Transistores Bipolares - BJT
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: solteiro
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx.: 400 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 700 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 9 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 1 V
Corrente máxima do coletor DC: 12 A
Pd - Dissipação de energia: 12 W
Produto de ganho de largura de banda fT: 4 MHz
Temperatura mínima de operação: - 65 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Embalagem: Vareta
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,82 mm
Corrente de coletor contínua: 12 A
Coletor DC / Ganho Base Hfe Min: 8
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
OBSERVAÇÕES IMPORTANTES:
* Devido aos recursos fotográficos, pode haver variação de tonalidade conforme a resolução de tela utilizada.
* As fotos e informações sobre descrições técnicas e conteúdo da embalagem são fornecidas pelo fabricante e estão sujeitas à alteração sem aviso prévio.
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